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主要产品：沉积设备、刻蚀设备、扩散设备、注入设备、固化设备、气体输送设备、化学品输送设备、定制设备配套服务。

温度范围：500-1300℃，支持低温SiGe外延（700℃）及高温硅外延（1200℃以上）温控精度：±0.5℃（恒温区），轴向温度均匀性±1℃@1000℃加热方式：射频感应加热，热区长度···

温度范围：600-1100°C，支持快速升温（最大速率50°C/min）及梯度降温温控精度：±0.5°C（恒温区），5区独立控温，轴向温度均匀性±1°C@1000°C加热方式：电阻式加热管（···

结构类型：水平式石英反应管，采用纯层流气体分布技术，确保前驱体均匀混合。晶圆容量：支持1×4英寸或3×2英寸晶圆配置，适用于研发阶段的小批量样品制备。温度控制：红外···

电子束分辨率：≤4nm（加速电压1kV时），确保亚微米级结构成像精度。加速电压：0.4-1.5kV可调，低电压模式（≤500V）可减少光刻胶损伤。电子枪类型：肖特基场发射电子枪（S···

晶圆尺寸：8英寸（200mm），兼容6英寸及以下基板腔室结构：单腔或多腔集群设计，集成刻蚀（Etch）与剥离（Ash）模块真空系统：Alcatel ATH-1300M或Seiko Seiki STP-H1303涡···

晶圆尺寸：8英寸（200mm），兼容SNNF（Single Notch No Flat）晶圆形态。射频系统：源射频：13.56MHz，最大功率3000W（控制等离子体密度）。偏置射频：13.56MHz，最大功率1···

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