晶圆尺寸：300mm（兼容200mm）沉积均匀性：±1%（片内，3σ），±2%（片间）沉积速率：SiO₂约500-1000Å/min，Si₃N₄约200-500Å/min膜厚控制精度：±0.5%（50Å-5μm范围···

涂布方式：旋转涂布（Spin Coating），支持正胶、负胶及BARC（底部抗反射涂层）膜厚范围：500Å-10μm，涂胶均匀性±3%（片内，8英寸晶圆）边缘处理：EBR（Edge Bead Remov···

涂布方式：旋转涂布（Spin Coating），支持正胶、负胶及BARC（底部抗反射涂层）膜厚均匀性：±10nm（3σ，300mm晶圆，光刻胶厚度1μm）涂布速率：500-6000 rpm可调，加速度···

射频功率：13.56MHz，300W（标配），可选500W升级电极配置：直径240mm平行极板，间距可调（10-80mm）等离子体密度：1×10¹⁰-1×10¹² ions/cm³晶圆尺寸：最大8英寸（20···