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晶圆尺寸：300mm（兼容200mm）沉积均匀性：±1%（片内，3σ），±2%（片间）沉积速率：SiO₂约500-1000Å/min，Si₃N₄约200-500Å/min膜厚控制精度：±0.5%（50Å-5μm范围···

曝光波长：365nm（i线，汞灯光源）分辨率：0.35μm（最小线宽）数值孔径（NA）：0.45-0.57可调视场尺寸：26mm×33mm（单次曝光面积）晶圆尺寸：300mm（兼容200mm）套刻精度···

能量范围：10-200keV（单电荷离子），支持硼（B+）、磷（P+）、砷（As+）等掺杂离子束流强度：P+：1600μA@200keVAs+：1200μA@200keVB+：900μA@200keV质量分析能力：M/△···

温度范围：500-1300℃，支持低温SiGe外延（700℃）及高温硅外延（1200℃以上）温控精度：±0.5℃（恒温区），轴向温度均匀性±1℃@1000℃加热方式：射频感应加热，热区长度···

温度范围：600-1100°C，支持快速升温（最大速率50°C/min）及梯度降温温控精度：±0.5°C（恒温区），5区独立控温，轴向温度均匀性±1°C@1000°C加热方式：电阻式加热管（···

结构类型：水平式石英反应管，采用纯层流气体分布技术，确保前驱体均匀混合。晶圆容量：支持1×4英寸或3×2英寸晶圆配置，适用于研发阶段的小批量样品制备。温度控制：红外···

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