AMAT Centura II 2ch DPS Metal + 2ch ASP+ 8" 是应用材料公司（Applied Materials）推出的半导体晶圆刻蚀系统，专为8英寸（200mm）晶圆的金属刻蚀与光刻胶剥离工艺设计。该设备采用多腔室集群架构，集成了DPS Metal（金属刻蚀）和ASP+（高级剥离）模块，可实现高精度、高吞吐量的半导体制造流程，广泛应用于逻辑芯片、存储器件及MEMS等精密电子元件的生产。
2个DPS Metal刻蚀腔室：采用电感耦合等离子体（ICP）技术，支持铝、铜等金属材料的高精度刻蚀，最小可实现亚微米级特征尺寸（根据二手设备描述，刻蚀速率可达每分钟数微米）。
2个ASP+剥离腔室：用于光刻胶去除及表面钝化处理，配备微波等离子体源（2.45GHz，3kW）和智能匹配系统，确保高效剥离与低损伤。
辅助模块：包含快速冷却腔室（Fast Cool Down）和晶圆定向器（Orienter），支持自动化晶圆传输与温度控制。
晶圆尺寸：8英寸（200mm），兼容SNNF（Single Notch No Flat）晶圆形态。
射频系统：
温度控制：静电卡盘（ESC）温度精度±1°C，腔室壁温约95°C。
气体输送：配备MKS数字质量流量计（MFC），支持Cl₂、BCl₃、O₂等刻蚀气体及N₂、Ar等惰性气体，流量控制精度达±1%。
真空系统：采用Seiko Seiki H1303涡轮泵，真空度可达10⁻⁶ Torr。
金属布线刻蚀：用于芯片多层金属互连结构（如铝布线、铜 damascene 工艺）的图形转移，保障电路信号传输效率。
光刻胶剥离：在离子注入或沉积工艺后，快速去除残余光刻胶，减少表面污染。
MEMS器件加工：支持硅、氮化硅等材料的深沟槽刻蚀，用于微型传感器、执行器的制造。
逻辑芯片：7nm以下先进制程中金属栅极与接触孔刻蚀。
存储器件：3D NAND闪存的字线/位线刻蚀及高深宽比结构加工。
功率半导体：SiC、GaN器件的欧姆接触电极刻蚀，提升器件耐高温与高频性能。
高精度与均匀性：双频射频电源独立调控等离子体密度与能量，刻蚀均匀性<3%（1σ），满足先进制程对CD（关键尺寸）控制的严苛要求。
高吞吐量：多腔室并行处理设计，单批次可处理25片晶圆，适合大规模量产。
工艺灵活性：支持金属、 dielectric 及化合物半导体材料刻蚀，通过软件Recipe快速切换工艺参数。
作为半导体前道制造的关键设备，Centura II系列在二手市场需求稳定，尤其受到成熟制程（40nm以上）晶圆厂的青睐。根据2025年市场数据，8英寸设备二手价格约为新机的30%-50%，且维护成本较低，适合中小规模芯片设计公司及高校研发使用。
我们专注于为半导体设备产业提供一站式解决方案，涵盖核心半导体模块、精密半导体机架及关键半导体零部件的设计与制造。
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