TEL ACT 12 涂胶显影系统技术分析

一、设备概述

二、核心技术参数

1. 涂胶单元

• 涂布方式：旋转涂布（Spin Coating），支持正胶、负胶及BARC（底部抗反射涂层）

• 膜厚均匀性：±10nm（3σ，300mm晶圆，光刻胶厚度1μm）

• 涂布速率：500-6000 rpm可调，加速度5000 rpm/s

• 边缘处理：EBR（Edge Bead Removal）及背冲洗（Back Rinse）功能

2. 显影单元

• 显影方式：喷雾式（Spray）+  puddle显影，支持2.38% TMAH显影液

• 线宽均匀性：±10nm（3σ，0.15μm CD测试）

• 显影温度控制：23±0.1℃（显影液温度）

• 化学兼容性：光刻胶溶剂（PGMEA、PGME）、HMDS（六甲基二硅胺烷）

3. 烘烤与冷却

• 热板温度范围：50-200℃（±0.3℃控温精度），支持软烘（SB）、坚膜烘（PEB）

• 冷却板温度：15-25℃（±0.5℃），确保晶圆快速降温

• 烘烤单元配置：4个精密热板（PHP）+ 6个低温热板（LHP）+ 4个冷却板（CPL）

4. 自动化与产能

• 晶圆传输：3轴机械臂，支持FOUP cassette-to-cassette自动化传输

• 联机能力：SECS/GEM协议，可与ASML、尼康光刻机联机作业

• 占地面积：约5m²（单模块），支持双模块扩展

三、应用场景

1. 光刻工艺集成

• 涂胶工艺：光刻胶厚度100nm-5μm，覆盖从I-line到KrF（248nm）光刻需求

• 显影工艺：正胶显影线宽控制（0.15-1μm），支持高 aspect ratio 图形

• 边缘曝光：Wafer Edge Exposure（WEE）功能，抑制边缘缺陷

2. 特殊工艺适配

• BARC涂布：底部抗反射涂层厚度均匀性±3%，降低光刻反射干扰

• HMDS预处理：增强光刻胶与晶圆的附着力，减少针孔缺陷

• 厚胶工艺：MEMS结构的厚胶光刻（≥5μm），显影垂直度>85°

四、技术优势与局限性

优势：

1. 高稳定性：关键部件MTBF（平均无故障时间）>1000小时

2. 工艺灵活性：支持100组Recipe存储，10步工艺序列自动执行

3. 颗粒控制：Class 1级洁净腔体设计，颗粒污染<0.1个/cm²@0.2μm

局限性：

1. 不支持EUV：无法适配193nm immersion及EUV光刻胶工艺

2. 能耗较高：热板系统功耗约15kW，高于新一代Lithius Pro Z系列

3. 维护成本：化学管路更换周期短（约6个月），年度维护费用占设备原值5%

五、市场定位与替代方案

• 主要用户：中芯国际、华虹半导体、三星电子（成熟制程产线）

• 替代型号：

  
  

• 升级选项：TEL Lithius Pro Z（支持EUV工艺，吞吐量提升30%）

• 竞品方案：DNS Disco Coater/Developer（日本Disco）

数据来源：

• TEL官方技术白皮书（Clean Track ACT Series Datasheet）

• 二手设备平台CAE Online配置清单

• 行业报告《Global Coater/Developer Market - 2025》

本文结合互联网AI生成，内容仅供参考。