Canon FPA-5510iZ 半导体光刻机设备机架 零部件制造
曝光波长:365nm(i线,汞灯光源)
分辨率:0.35μm(最小线宽)
数值孔径(NA):0.45-0.57可调
视场尺寸:26mm×33mm(单次曝光面积)
晶圆尺寸:300mm(兼容200mm)
套刻精度:±30nm(3σ)
吞吐量:≥100片/小时(300mm晶圆,96次曝光/片)
对准方式:光学对准,支持IR及可见光对准标记
曝光波长:365nm(i线,汞灯光源)
分辨率:0.35μm(最小线宽)
数值孔径(NA):0.45-0.57可调
视场尺寸:26mm×33mm(单次曝光面积)
晶圆尺寸:300mm(兼容200mm)
套刻精度:±30nm(3σ)
吞吐量:≥100片/小时(300mm晶圆,96次曝光/片)
对准方式:光学对准,支持IR及可见光对准标记
我们专注于为半导体设备公司提供一站式解决方案,涵盖核心半导体模块制造、精密半导体机架及关键半导体零部件的设计与制造。
本文结合互联网AI生成,内容仅供参考。