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Canon FPA-5510iZ 半导体光刻机设备机架 零部件制造

Canon FPA-5510iZ 半导体光刻机设备机架 零部件制造

曝光波长:365nm(i线,汞灯光源)

分辨率:0.35μm(最小线宽)

数值孔径(NA):0.45-0.57可调

视场尺寸:26mm×33mm(单次曝光面积)

晶圆尺寸:300mm(兼容200mm)

套刻精度:±30nm(3σ)

吞吐量:≥100片/小时(300mm晶圆,96次曝光/片)

对准方式:光学对准,支持IR及可见光对准标记


产品详情

Canon FPA-5510iZ 光刻机技术分析


一、设备概述


Canon FPA-5510iZ是佳能(Canon)开发的i线步进式光刻机,主要用于半导体前道光刻工艺及先进封装中的图案转移。该设备采用365nm波长的i线光源(汞灯),支持300mm(12英寸)晶圆,分辨率达0.35μm,套刻精度30nm,适用于55nm逻辑芯片及3D封装TSV(硅通孔)工艺。其核心优势在于大视场曝光(26×33mm)、高吞吐量及成熟的工艺兼容性,是中小规模晶圆厂及研发实验室的主流选择。


二、核心技术参数


1. 光学系统


  • 曝光波长:365nm(i线,汞灯光源)

  • 分辨率:0.35μm(最小线宽)

  • 数值孔径(NA):0.45-0.57可调

  • 视场尺寸:26mm×33mm(单次曝光面积)


2. 晶圆处理能力


  • 晶圆尺寸:300mm(兼容200mm)

  • 套刻精度:±30nm(3σ)

  • 吞吐量:≥100片/小时(300mm晶圆,96次曝光/片)

  • 对准方式:光学对准,支持IR及可见光对准标记


3. 系统配置


  • 光源功率:4.5kW超高压汞灯

  • 曝光方式:步进扫描(Step-and-Scan)

  • 控制系统:Canon自主研发的FPA-Control系统,支持Recipe存储与自动切换


三、应用场景


1. 前道光刻工艺


  • 逻辑芯片:55nm节点CMOS晶体管的栅极、源漏区图形转移

  • 存储器件:NOR Flash的字线/位线曝光,3D NAND的外围电路光刻


2. 先进封装


  • TSV工艺:硅通孔(直径1-10μm)的光刻定义

  • Bump工艺:焊球(Bump)图形化,支持高精度倒装芯片封装


四、技术优势与局限性


优势:


  1. 大视场曝光:26×33mm单次曝光面积,减少拼接需求,提升产能

  2. 工艺兼容性:支持厚胶光刻(≥5μm),适用于TSV深孔图形

  3. 成本效益:i线光源维护成本低于ArF光刻机,适合成熟制程


局限性:


  1. 分辨率限制:0.35μm分辨率无法满足28nm以下先进制程需求

  2. 光源波长:i线(365nm)衍射效应较明显,对高分辨率图形支持有限

  3. 自动化程度:需手动调整部分工艺参数,缺乏实时工艺监控


五、市场定位与替代方案


  • 主要用户:华虹半导体、中芯宁波等成熟制程晶圆厂

  • 替代型号


    • 升级选项:Canon FPA-5550iZ2(支持更窄线宽)

    • 竞品方案:尼康NSR-S203B(i线步进扫描光刻机)


数据来源


  • Canon官方技术白皮书(FPA-5510 Series Datasheet)

  • 二手设备平台CAE Online、Bridgetronic配置清单

  • 行业报告《Global Lithography Equipment Market - 2025》




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本文结合互联网AI生成,内容仅供参考。